サイリスタ(ここでは逆阻止三端子サイリスタを指す)の
基本的な特徴について整理します。
構造とダイオードとの違い
図:サイリスタの構造
サイリスタは、p形半導体とn形半導体を4つ組み合わせた素子であり
ダイオードとの最も大きな違いは、「ゲート端子」が付いている点にある。
ターンオン(点弧)
左図:ゲート信号電流なし 右図:ゲート信号電流あり
順方向に電圧を加えても、ゲート(G)に信号電流が流れていなければ、電流は流れない。
順方向電圧が印加された状態でゲートに信号電流を流すことで
はじめてアノードからカソードへ順方向電流が流れる。これを「ターンオン」と呼ぶ。
ターンオフ(消弧)と自己消弧性
図:逆方向電圧を加えて場合
一度オン状態になると、ゲート信号電流がなくなっても
順方向電流が「保持電流」以上流れている限り、ずっとオン状態を維持し続ける。
オン状態からオフ状態にする(ターンオフさせる)には、サイリスタに流れる電流を保持電流以下にする必要がありそのためには外部回路(転流回路)が必要になる。
※自分自身でオフ状態に移行できない素子のことを「自己消弧性がない素子」と言う。
図:サイリスタの水配管イメージ図
サイリスタの動作は
ロック機構(ゲート棒)のついた逆止弁でイメージすると非常に分かりやすくなる。
順方向電圧を流した場合
順方向電圧が0になった場合
現在、中・小容量のインバータなどでは
自己消弧性を持つIGBTなどが主流となっているが
サイリスタは構造が堅牢で大容量の電流・高電圧に耐えうるというメリットがあるため
特定の分野での働きをしている。
公益社団法人 日本電気技術者協会「電力用半導体素子の種類と特性ダイオード、サイリスタ、GTO」
RSコンポーネンツ「サイリスタとは?仕組み・用途・選び方を解説」
新電気2019年12月号「特集 強電技術者のための電子回路」より一部引用